商品名稱：STM32H745XIH6
數(shù)據(jù)手冊：
STM32H745XIH6.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：265-TFBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：8000 件
STM32H745XIH6具有兩個內存保護單元。每個MPU管理CPU訪問權限和系統(tǒng)資源的屬性。MPU定義了特權訪問和用戶程序訪問的訪問規(guī)則。它允許定義多達16個受保護區(qū)域，這些區(qū)域又可以劃分為多達8個獨立的子區(qū)域。
產品規(guī)格
I/O數(shù)量168
程序內存大小2MB（2M x 8）
程序存儲器類型FLASH
內存大小1M x 8
電壓-電源（Vcc/Vdd）1.62V~3.6V
數(shù)據(jù)轉換器A/D 36x16b；D/A 2x12b型
振蕩器類型內部
工作溫度-40°C~85°C（TA）
安裝類型表面安裝
封裝265-TFBGA，240+25-TFBGA（14x14）
應用
電機驅動和應用控制
醫(yī)療設備
打印機和掃描儀
報警系統(tǒng)、視頻對講和暖通空調
移動應用程序、物聯(lián)網(wǎng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。此外，它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…
STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件，屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷，以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C，具有無尾關斷特性，飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V（典型值），并且參數(shù)分布緊…
STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件，其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā)，旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷，以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流…
STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，具有低損耗和短路功能，特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，因其低損耗和短路功能，STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (I…
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構，旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡，從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電…電話咨詢：86-755-83294757
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