IRF6894MTRPBF 是一款 25V、170A 的 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，專為需要高效能和低功耗的嵌入式應用設計。該芯片采用 DIRECTFET? MX 封裝，具有極低的導通電阻（1.3mΩ）和低柵極電荷（26nC），適用于高電流和高效率的應用場景。

規格參數

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DirectFET-MX

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續漏極電流: 170 A

Rds On-漏源導通電阻: 1.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Qg-柵極電荷: 29 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 54 W

通道模式: Enhancement

商標名: DirectFET

IRF6894MTRPBF 關鍵特性

高電流處理能力：支持高達 170A 的連續漏電流。

低導通電阻：1.3mΩ，確保高效能轉換。

低柵極電荷：26nC，減少開關損耗。

寬工作溫度范圍：-40°C 至 +150°C，適合各種環境條件。

多種保護功能：包括過溫保護和短路保護，提高系統可靠性。

IRF6894MTRPBF 應用領域

電源管理：如 DC-DC 轉換器、開關電源等。

電機驅動：如電動工具、工業電機等。

汽車電子：如電動汽車的牽引逆變器、車載充電器等。

通信設備：如基站電源、通信模塊等。

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