STF11N65M2器件采用MDmesh M2技術開發的N溝道功率MOSFET。憑借其條帶式布局和改進的垂直結構，該器件展現出低導通電阻和優化的開關特性，使其適用于要求最嚴苛的高效轉換器。
STF11N65M2 參數
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 7 A
Rds On-漏源導通電阻: 670 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 12.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
通道模式: Enhancement
商標名: MDmesh II Plus
配置: Single
下降時間: 15 ns
產品: Power MOSFETs
產品類型: MOSFETs
上升時間: 7.5 ns
系列: STF11N65M2
STF11N65M2 特性
? 極低柵極電荷
? 卓越的輸出電容（COSS）特性曲線
? 100%雪崩測試
? 齊納保護
STF11N65M2 應用
? 開關應用
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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