IPA80R450P7是一款高性能功率 MOSFET 芯片，屬于 P 溝道增強型 MOSFET 系列。該器件采用 TO-263 封裝形式，廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉換器、負載開關和電機驅動等電路中。其高耐壓特性（高達 800V）使其非常適合高壓應用場景，同時具備較低的導通電阻和快速開關性能。

核心特性與優(yōu)勢

IPA80R450P7 不僅僅是參數(shù)的堆砌，其內(nèi)部技術帶來了顯著的性能提升：

卓越的效率與熱性能：與前代產(chǎn)品（如 CoolMOS? C3）及同類競爭器件相比，它能提供高達0.6%的效率增益，并使 MOSFET 的工作溫度降低 2°C 至 8°C。這意味著電源系統(tǒng)更節(jié)能、更穩(wěn)定可靠。

優(yōu)化的開關性能：該器件擁有出色的品質因數(shù)，通過降低柵極電荷、輸入電容和輸出電容，實現(xiàn)了更低的開關損耗。這有助于提升開關頻率，從而提高功率密度，使電源設計更緊湊。

堅固耐用，便于設計

集成ESD保護：內(nèi)置齊納二極管，提供高達 2級（HBM） 的靜電放電保護，提高了生產(chǎn)良品率和現(xiàn)場可靠性。

穩(wěn)定的閾值電壓：柵極閾值電壓典型值為 3V，且變化范圍小（±0.5V），這使得器件易于驅動，設計更簡便，有助于提高生產(chǎn)一致性。

IPA80R450P7 參數(shù)

制造商：Infineon Technologies  

系列：CoolMOS?  

包裝：管件  

零件狀態(tài)：在售  

FET 類型：N 通道  

技術： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）：800 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：11A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 450 毫歐 @ 4.5A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.5V @ 220μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 24 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 770 pF @ 500 V  

功率耗散（最大值）： 29W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝： PG-TO220-3-31 

主要應用領域

這款MOSFET主要針對低功率開關電源應用，是其反激式拓撲結構的理想選擇。具體應用包括：

適配器與充電器

LED照明驅動器

音頻設備開關電源

工業(yè)輔助電源

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