微晶碳化硅MOSFET可在嚴苛的高壓應用中實現(xiàn)高效能與強韌性能。憑借逾20年的碳化硅技術積淀，這些MOSFET專為最大化系統(tǒng)效率而設計，同時顯著降低系統(tǒng)重量與體積。

MSC180SMA120SCT隸屬于MA系列微晶碳化硅MOSFET。這款1200V SiC MOSFET采用18-20V柵極驅動電壓，確?？煽康拈_關性能，其導通電阻RDS(on)低至180毫歐，有效降低傳導損耗并提升整體系統(tǒng)效率。該器件適用于高功率應用，可承受22A的持續(xù)漏極電流。憑借高達175°C的最高額定溫度，碳化硅MOSFET可在高溫結溫環(huán)境下運行，為惡劣工況提供卓越的熱性能與可靠性。

功率表面貼裝頂部冷卻（PSMT）封裝是尖端半導體器件，專為優(yōu)化高性能應用中的功率效率與熱管理而設計。PSMT封裝通過高效頂部散熱顯著提升熱量散逸能力，助力實現(xiàn)更緊湊可靠的設計方案。

MSC180SMA120SCT 參數(shù)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 20 A

Rds On-漏源導通電阻: 225 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V

Qg-柵極電荷: 36 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 133 W

MSC180SMA120SCT 特性

? 低電容與低柵極電荷

? 低內(nèi)部柵極電阻（ESR）實現(xiàn)快速開關速度

? 高結溫穩(wěn)定運行，TJ(max) = 175 °C

? 快速可靠的體二極管

? 卓越的雪崩耐受性

? 符合RoHS標準

MSC180SMA120SCT 優(yōu)勢

? 高效率設計實現(xiàn)更輕量化緊湊系統(tǒng)

? 驅動簡易且易于并聯(lián)

? 增強散熱能力并降低開關損耗

? 無需外部續(xù)流二極管

? 降低系統(tǒng)擁有成本

MSC180SMA120SCT 應用

? 光伏（PV）逆變器、轉換器及工業(yè)電機驅動

? 智能電網(wǎng)輸配電系統(tǒng)

? 感應加熱與焊接設備

? 混合動力汽車（HEV）動力總成及電動汽車（EV）充電設備

? 電源供應與配電系統(tǒng)

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