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AI 處理器

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IMW120R007M1HXKSA1

產品說明:采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiC? 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R007M1H

產品說明:采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiC? 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R040M1H

產品說明:采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R040M1HXKSA1

產品說明:采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R090M1HXTMA1

產品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R090M1H

產品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R039M1H

產品說明:SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R039M1HXTMA1

產品說明:SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R014M1HXKSA1

產品說明:采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R014M1H

產品說明:采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:PG-TO247-4
10起
2240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R220M1HXTMA1

產品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R220M1H

產品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F100A1LAUMA1

產品說明:CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝:QFN-21
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F100A1L

產品說明:CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝:QFN-21
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F1414A1LAUMA1

產品說明:600V CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝:QFN-28
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F1414A1L

產品說明:600V CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝:QFN-28
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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