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產(chǎn)品說明：采用 TO247 封裝的 650 V 硬開關(guān) TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：功率因數(shù)校正 - PFC 獨(dú)立式 PFC CCM W/Brown out
封裝：PG-DSO-8
產(chǎn)品說明：N 通道 600 V 47A（Tc） 278W（Tc） PG-HDSOP-10-1
封裝：PG-HDSOP-10
產(chǎn)品說明：單通道 5 V 低壓降穩(wěn)壓器 DSO-8
封裝：DSO-8
產(chǎn)品說明：單通道智能高壓側(cè)電源開關(guān)提供保護(hù)功能和診斷功能
封裝：PG-HSOF-8
產(chǎn)品說明：16Mb MoBL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 With ECC
封裝：TFSOP-48
產(chǎn)品說明：8位微控制器 -MCU 4Kb Flsh 256B RAM IND
封裝：SSOP-20
產(chǎn)品說明：1200V、34mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管，TO-247-4
封裝：TO-247-4
產(chǎn)品說明：1200V、53mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管，TO-247-4
封裝：TO-247-4
產(chǎn)品說明：用于電信應(yīng)用的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 80V
封裝：TDSON-8
產(chǎn)品說明：650 V、50 A IGBT，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247 封裝
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：650 V G5 GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
封裝：PG-LSON-8
產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 ?100 V G3，2.4 m?
封裝：PG-TSON-6
產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3，2.4 m?
封裝：PG-VSON-6
產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 86 A ?80 V G3，1.8 m?
封裝：PG-TSON-6
產(chǎn)品說明：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 99 A ?60 V G3，1.3 m?
封裝：PG-TSON-6電話咨詢：86-755-83294757
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