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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

開發(fā)板

品牌:

不限 Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel MCube Linkgae Rayson SCY Amlogic SONY Awinic FOXCONN KYOCERA LOTES Sumida ANPEC Diptronics APAQ Kingbright VIA Silan CXMT DELTA AMPAK HDSC Ignion ?XTX Würth YITOA Ai-Thinker NANYA FUJITSU OSRAM ASPEED Diotec SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

LMG3411R150RWHR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN

封裝：VQFN32
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3422R050RQZR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600V 50m? GaN FET

封裝：VQFN54
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3425R030RQZR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET

封裝：VQFN54
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3422R030RQZR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600V 30m? GaN FET

封裝：VQFN54
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7WB11BPSA1

產(chǎn)品說(shuō)明：1200 V、900 A 雙 IGBT 模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7WB11

產(chǎn)品說(shuō)明：1200 V、900 A 雙 IGBT 模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7B11NPSA1

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 2 個(gè)獨(dú)立式 1200 V 900 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD-3

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7B11

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 2 個(gè)獨(dú)立式 1200 V 900 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD-3

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 950 V 70 A 20 mW 底座安裝 AG-EASY3B

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS3L200R10W3S7FB11

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 950 V 70 A 20 mW 底座安裝 AG-EASY3B

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L400R10W3S7B11BPSA1

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 模塊 溝道 - 950 V 底座安裝 模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L600R10W4S7FC22BPSA1

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安裝

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L600R10W4S7FC22

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安裝

封裝：MODULE
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS05MR12A6MA1BBPSA1

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 200A - 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS05MR12A6MA1B

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 200A - 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS03MR12A6MA1LBBPSA1

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET - 陣列 6 N-溝道（3 相橋） 1200V（1.2kV） 400A 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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